This is an old revision of the document!


Technische Erläuterungen

Erklärung Grenzdaten Transistoren

Die angegebenen Grenzdaten sind absolute Grenzwerte, die in keinem Fall, auch nicht kurzzeitig, überschritten werden dürfen. Ein einzelner Grenzwert auch dann nicht, wenn andere nicht voll ausgenutzt werden. Sie gelten, wenn nicht anders vermerkt, für 25°C.
UCB0 Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE = 0); siehe Bild 8.
offener Emitter
UCBS Kollektor-Basis-Sperrspannung (= UCES) bei Kurzschluß Basis-Emitter (UBE = 0); siehe Bild 11.
UCES
UCE0 Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB = 0); siehe Bild 9.
offener Basis
UCER Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand (RBE) zwischen Basis und Emitter; siehe Bild 10.
UCER
UCES Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei Kurzschluß Basis-Emitter (UBE = 0); siehe Bild 11.
UCES
UCEV Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei gesperrter Emitterdiode (UBE < 0); siehe Bild 12.
UCEV
UEB0 Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (IC = 0); siehe Bild 14.
offener Kollektor
IC Kollektorstrom Gleich- oder Mittelwert
ICM Kollektorspitzenstrom Scheitelwert
IB Basisstrom Gleich- oder Mittelwert
IBM Basisspitzenstrom Scheitelwert
Ptot Gesamtverlustleistung
Die im Transistor in Wärme umgesetzte Leistung ist die Summe der Produkte aus Strömen und Spannungen (IC x UCE + IB x UBE).
Der maximal zulässige Grenzwert ist durch die maximal zulässige Sperrschichttemperatur (Tjmax), dem Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung (RthU), bzw. Gehäuse (RthG) und der im Betrieb auftretenden Umgebungstemperatur (TU), bzw. Gehäusetemperatur(TG) festgelegt.

Bei umgebender Luft

bei unendlich guter Wärmeableitung (TG = TU)

Da sich nur sehr kleine Leistungen über das Gehäuse direkt an die Umgebungsluft abführen lassen (hoher Wert für RthU), ohne daß eine unzulässig hohe Erwärmung der Sperrschicht auftritt, andererseits eine unendlich gute Wärmeableitung nur theoretisch möglich ist, kann der für Leistungstransistoren angegebene Rechenwert für Ptot bei TG = 25°C nur annähernd erreicht werden durch eine Montage des Transistors auf einen Kühlkörper oder -blech mit möglichst kleinem Wärmewiderstand (RthK). Dieser hinzukommende Wärmewiderstand und der zwischen Gehäuse und Kühlkörper (RthGK) addiert sich zu dem RthG.

RthGK ist relativ klein, bei großen Leistungen jedoch nicht zu vernachlässigen und ist abhängig von der Montage (siehe unten). RthK wird vom Kühlkörperhersteller genannt. Bei Kühlblechen kann RthK annähernd nach Bild 5 bestimmt werden (Alu-Blech, senkrecht). Für Kupferblech sind die Werte etwas niedriger, für Eisen- und Stahlblech etwas höher.
RthGK (isolierte Montage mit Glimmerscheibe 0,1mm)

trocken gefettet Gehäuse (Beispiele)
1,5 0,6°C/W TO-3,TO-41
3,0 1,5°C/W TO-66,SOT-9
10 6°C/W TO-126,SOT-32

Bei Leistungstypen ist eine Verminderung von Ptot mit steigender UCE zu berücksichtigen, da physikalisch bedingt, RthG ansteigt. Der hier aufgeführte Grenzwert ist der für kleine Spannungen geltende Höchstwert. Genaue Angaben über den sicheren Arbeitsbereich bei Leistungstransistoren sind nur den Diagrammen der Hersteller zu entnehmen.

RthU Wärmewiderstand Sperrschicht — Umgebung
bei umgebender, ruhender Luft.

RthG Wärmewiderstand Sperrschicht — Gehäuse
bei unendlich guter Wärmeableitung (TG = TU)

Tj Sperrschichttemperatur
Räumlicher Mittelwert der Temperatur der Sperrschicht, der im Betrieb maximal auftreten darf. Da Tj nicht direkt meßbar ist, muß sie aus den vorgenannten Beziehungen abgeleitet werden. Tj = TU + RthU x Ptot
TU Umgebungstemperatur
Temperatur der umgebenden, ruhenden Luft.

Kenndaten Transistoren

ecadata.de/deutsch/technik.1237826161.txt.gz · Last modified: d.m.Y H:i by manfred
CC Attribution-Noncommercial-Share Alike 4.0 International
www.chimeric.de Valid CSS Driven by DokuWiki do yourself a favour and use a real browser - get firefox!! Recent changes RSS feed Valid XHTML 1.0