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 **U<​sub>​BEsat</​sub>​ Basis-Emitter-Sättigungsspannung** **U<​sub>​BEsat</​sub>​ Basis-Emitter-Sättigungsspannung**
 Restspannung zwischen Basis und Emitter, definiert wie U<​sub>​CEsat</​sub>​.\\ Restspannung zwischen Basis und Emitter, definiert wie U<​sub>​CEsat</​sub>​.\\
 +**I<​sub>​CB0</​sub>​ Kollektor-Basis-Reststrom**
 +bei offenem Emitter (I<​sub>​E</​sub>​ = 0) und
 +definierter Spannung*) (U<​sub>​CB</​sub>​)
 +und Temperatur (T<​sub>​U</​sub>,​ T<​sub>​G</​sub>,​ T<​sub>​j</​sub>​).\\
 +**I<​sub>​CE0</​sub>​ Kollektor-Emitter-Reststrom**
 +bei offener Basis (I<​sub>​B</​sub>​ = 0) und definierter Spannung((Ist anstelle einer Spannung ,,max.“ angegeben, so gilt der entsprechende Wert aus
 +den Grenzdaten; z.B. für ICEV der Wert UCEVmax, usw.))
 +(U<​sub>​CE</​sub>​)
 +und Temperatur (T<​sub>​U</​sub>,​ T<​sub>​G</​sub>,​ T<​sub>​j</​sub>​).\\
 +**I<​sub>​CER</​sub>​ Kollektor-Emitter-Reststrom**
 +wie I<​sub>​CE0</​sub>,​ jedoch bei einem Widerstand (R<​sub>​BE</​sub>​)
 +zwischen Basis und Emitter.\\
 +**I<​sub>​CES</​sub>​ Kollektor-Emitter-Reststrom**
 +wie I<​sub>​CE0</​sub>,​ jedoch bei Kurzschluß zwischen
 +Basis und Emitter (U<​sub>​BE</​sub>​ = 0).\\
 +**I<​sub>​CEV</​sub>​ Kollektor-Emitter-Reststrom**
 +wie I<​sub>​CE0</​sub>,​ jedoch bei gesperrter
 +Emitterdiode (U<​sub>​BE</​sub>​ < 0).\\
 +**I<​sub>​CEX</​sub>​ Kollektor-Emitter-Reststrom**
 +wie I<​sub>​CE0</​sub>,​ jedoch bei in Flußrichtung
 +vorgespannter Emitterdiode (U<​sub>​BE</​sub>​ > 0)
 +ohne nennenswerten Basisstrom.\\
 +**I<​sub>​EB0</​sub>​ Emitter-Basis-Reststrom**
 +bei offenem Kollektor (I<​sub>​C</​sub>​ = 0) und definierter Spannung((Ist anstelle einer Spannung ,,max.“ angegeben, so gilt der entsprechende Wert aus
 +den Grenzdaten; z.B. für ICEV der Wert UCEVmax, usw.))
 +(U<​sub>​EB</​sub>​) und Temperatur (T<​sub>​U</​sub>,​ T<​sub>​G</​sub>,​ T<​sub>​j</​sub>​). ​
 +
 +**C<​sub>​CB0</​sub>​ Ausgangskapazität**
 +Kollektor-Basis-Kapazität einschließlich Gehäusekapazität bei offenem Emitter und definierter Meßspannung (U<​sub>​CB</​sub>​).\\
 +Es gilt für C<​sub>​CB0</​sub>:​\\
 +≈C<​sub>​oe</​sub>​ (= C<​sub>​22e</​sub>​) Kurzschluß-Ausgangskapazität in Emitterschaltung
 +≈C<​sub>​ob</​sub>​ (= C<​sub>​22b</​sub>​) Kurzschluß-Ausgangskapazität in Basisschaltung.\\
 +**C<​sub>​EB0</​sub>​ Eingangskapazität**
 +Emitter-Basis-Kapazität einschließlich Gehäusekapazität bei offenem Kollektor und definierter Meßspannung (U<​sub>​EB</​sub>​).\\
 +Es gilt für C<​sub>​EB0</​sub>:​
 +≈C<​sub>​ie</​sub>​ (= C<​sub>​11e</​sub>​) Kurzschluß-Eingangskapazität in Emitterschaltung
 +≈C<​sub>​ib</​sub>​ (= C<​sub>​11b</​sub>​) Kurzschluß-Eingangskapazität in Basisschaltung.
 +**C<​sub>​re</​sub>​ Rückwirkungskapazität** (= C<​sub>​12e</​sub>​)
 +Kapazität der Kurzschluß-Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung bei definierter Meßspannung (U<​sub>​CB</​sub>​ oder U<​sub>​CE</​sub>​). Dieser Wert, bei HF Transistoren
 +gebräuchlich,​ liegt zumeist bei < 0,5pF.\\
 +**C<​sub>​rb</​sub>​ Rückwirkungskapazität** (= C<​sub>​12b</​sub>​)
 +Kapazität der Kurzschluß-Rückwärtssteilheit in Basisschaltung bei definierter Meßspannung (U<​sub>​CB</​sub>​ oder U<​sub>​CE</​sub>​). Dieser Wert ist bei HF Transistoren
 +für den Betrieb in Basisschaltung (HF-Eingangsstufen) gebräuchlich.
 +
 +Weitere technische Symbole und Definitionen finden Sie [[ecadata.de:​deutsch:​techsymbol|hier]].
 +
ecadata.de/deutsch/technik.txt · Last modified: d.m.Y H:i by manfred
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