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Technische Symbole und Definitionen

B(hFE) Gleichstromverstärkung
Cb’e Emitter-Diffusionskapazität
CCB0 Ausgangskapazität
CEB0 Eingangskapazität
Cis Eingangskapazität (FET)
Cos Ausgangskapazität (FET)
Crb Rückwirkungskapazität (Basisschaltung)
Cre Rückwirkungskapazität (Emitterschaltung)
Crs Rückwirkungskapazität (FET Sourceschaltung)
EAS Single Pulse Avalanche Energy 1)
EAR Repetitive Avalanche Energy 2)
f Meßfrequenz
fmax Höchste Schwingfrequenz
fT Transit-Frequenz
fy21s Grenzfrequenz der Vorwärtssteilheit (FET)
fα Grenzfrequenz in Basisschaltung
fß Grenzfrequenz in Emitterschaltung
F Rauschmaß
Fc Misch-Rauschmaß
gfs Übertragungssteilheit (= g21s) (FET)
h11e Kurzschlußeingangswiderstand (Emitterschaltung)
IB Basisstrom
IBM Basisspitzenstrom
IC Kollektorstrom
ICB0 Kollektor-Basis-Reststrom (IE = 0)
ICE0 Kollektor-Emitter-Reststrom (IB = 0)
ICER Kollektor-Emitter-Reststrom (mit RBE)
ICES Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE = 0)
ICEV Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE < 0)
ICEX Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE > 0)
ICM Kollektorspitzenstrom
ID Drainstrom
IDG0 Drain-Gate-Reststrom
IDoff Drain-Reststrom
IDSS Drain-Source-Kurzschlußstrom (UGS = 0)
IE Emitterstrom
IEB0 Emitter-Basis-Reststrom (IC = 0)
IG Gatestrom
IGSS Gate-Source-Sperrstrom
IS Sourcestrom
PQ HF-Ausgangsleistung
Ptot Gesamtverlustleistung
rds(off) Dynamischer Sperrwiderstand (FET)
rds(on) Dynamischer Durchlaßwiderstand (FET)
rgs Statischer Eingangswiderstand (FET)
RthG Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse
RthK Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung bei Montage
auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
RthU Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
td Verzögerungszeit
tf Abfallzeit
toff Ausschaltzeit
ton Einschaltzeit
tr Anstiegszeit
ts Speicherzeit
TCh Kanaltemperatur
TG Gehäusetemperatur
Tj Sperrschichttemperatur
TK Umgebungstemperatur bei Montage auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
TU Umgebungstemperatur
Uagc Regelspannung
UBE Basis-Emitter-Spannung
UBEsat Basis-Emitter-Sättigungsspannung
UCB Kollektor-Basis-Spannung
UCB0 Kollektor-Basis-Sperrspannung (IE = 0)
UCBS Kollektor-Basis-Sperrspannnung (UBE = 0)
UCE Kollektor-Emitter-Spannung
UCE0 Kollektor-Emitter-Sperrspannung (IB = 0)
UCER Kollektor-Emitter-Sperrspannung (mit RBE)
UCES Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE = 0)
UCEsat Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
UCEV Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE < 0)
UDB Drain-Substrat-Spannung
UDG Drain-Gate-Spannung
UDS Drain-Source-Spannung
UEB Emitter-Basis-Spannung
UEB0 Emitter-Basis-Sperrspannung (IC = 0)
UGB Gate-Substrat-Spannung
UGS Gate-Source-Spannung
UP Abschnürspannung
Ur Äquivalente Rauschspannung (μV/√Hz)
USB Source-Substrat-Spannung
Uth Gate-Source-Schwellenspannung (V-MOS-FET)
Vp Leistungsverstärkung
Vp(opt) Optimale Leistungsverstärkung
lyfsI Vorwärtssteilheit (FET) (=ly21sl)
lyosI Ausgangsleitwert (FET) (=ly22sl)
ß(hfe) Kurzschluß-Stromverstärkung bei 1kHz
Δ Differenz
ΔB Verhältnis der Gleichstromverstärkungen (B1/B2)
ΔUBE Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (UBE1 – UBE2)
ΔVp Regelbereich der Leistungsverstärkung
η Wirkungsgrad

1) , 2)
Power MOSFETS in avalanche Mode
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