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 ====== Technische Symbole und Definitionen ====== ====== Technische Symbole und Definitionen ======
 +===== Transistoren und FET =====
 B(hFE) Gleichstromverstärkung\\ B(hFE) Gleichstromverstärkung\\
 Cb’e Emitter-Diffusionskapazität\\ Cb’e Emitter-Diffusionskapazität\\
Line 9: Line 10:
 Cre Rückwirkungskapazität (Emitterschaltung)\\ Cre Rückwirkungskapazität (Emitterschaltung)\\
 Crs Rückwirkungskapazität (FET Sourceschaltung)\\ Crs Rückwirkungskapazität (FET Sourceschaltung)\\
 +EAS Single Pulse Avalanche Energy ((Power MOSFETS in avalanche Mode)) \\
 +EAR Repetitive Avalanche Energy ((Power MOSFETS in avalanche Mode)) \\
 f Meßfrequenz\\ f Meßfrequenz\\
 fmax Höchste Schwingfrequenz\\ fmax Höchste Schwingfrequenz\\
Line 93: Line 96:
 η Wirkungsgrad\\ η Wirkungsgrad\\
  
 +===== Dioden und Thyristoren =====
 +**Grenzdaten**\\
 +UR Sperrspannung — Höchstzulässige Gleichsperrspannung.\\ ​
 +URM Spitzensperrspannung — Höchstzulässiger Scheitelwert der Sperrspannung.\\ ​
 +Ueff RMS-Eingangsspannung (Anschlußspannung) — Effektivwert der maximalen Eingangswechselspannung.\\ ​
 +IF Durchlaßstrom — Höchstzulässiger Durchlaßgleichstrom bei definierter Temperatur.\\ ​
 +IAV Durchlaßstrom (= IO = Richtstrom bei Kleindioden) — Höchstzulässiger arithmetischer Mittelwert bei definierter Temperatur.\\ ​
 +Ieff RMS-Durchlaßstrom — Effektivwert des höchstzulässigen Durchlaßstromes bei Ohmscher Last und definierter Temperatur.\\ ​
 +IZ Arbeitsstrom im Durchbruchsbereich — Höchstzulässiger Gleichstrom bei Z-Dioden im Durchbruchsbereich (= Ptot/UZ) bei definierter Temperatur.\\ ​
 +IFM Spitzendurchlaßstrom — Höchstzulässiger Scheitelwert des Durchlaßstromes bei definierter Temperatur.\\ ​
 +IFRM Spitzendurchlaßstrom — Höchstzulässiger periodischer Spitzendurchlaßstrom bei definierter Temperatur.\\ ​
 +IFSM Stoßstrom — Höchstzulässiger Überlastungsstromstoß,​ gültig für eine Halbschwingung (= 10ms, Tj = Tjmax), bei Kleindioden meist max.1μs.\\ ​
 +Ptot Gesamtverlustleistung — Höchstzulässiger Wert für das Produkt aus IF x UF bei definierter Temperatur.
 +Bei Kleindioden bezieht sich diese Angabe auf einen eingelöteten Zustand mit gekürzten Drähten.
 +Bei Leistungstypen gilt eine Gehäusebezugstemperatur,​ die durch geeignete Kühlmaßnahmen erreicht wird.
 +Bei Mehrfachdioden ist stets der Grenzwert für die Summe aller Einzeldioden angeführt.\\
 +PBR Impulsverlustleistung — Höchstzulässige Impulsverlustleistung im Duchbruchsbereich bei definierter Impulszeit.\\ ​
 +Pin Eingangsleistung — Maximale HF-Eingangsleistung.\\ ​
 +RthU Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung — bei umgebender, ruhender Luft.\\ ​
 +RthG Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse — bei unendlich guter Wärmeableitung (TG = TU).\\ ​
 +Tj Sperrschichttemperatur — Obere maximal zulässige Sperrschichttemperatur.\\ ​
 +TU Umgebungstemperatur — Temperatur der umgebenden, ruhenden Luft.\\ ​
 +Toper Betriebstemperatur — Oberer Betriebstemperaturbereich.\\
ecadata.de/deutsch/techsymbol.1237829264.txt.gz · Last modified: d.m.Y H:i by manfred
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