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Technische Symbole und Definitionen

B(hFE) Gleichstromverstärkung
Cb’e Emitter-Diffusionskapazität
CCB0 Ausgangskapazität
CEB0 Eingangskapazität
Cis Eingangskapazität (FET)
Cos Ausgangskapazität (FET)
Crb Rückwirkungskapazität (Basisschaltung)
Cre Rückwirkungskapazität (Emitterschaltung)
Crs Rückwirkungskapazität (FET Sourceschaltung)
f Meßfrequenz
fmax Höchste Schwingfrequenz
fT Transit-Frequenz
fy21s Grenzfrequenz der Vorwärtssteilheit (FET)
fα Grenzfrequenz in Basisschaltung
fß Grenzfrequenz in Emitterschaltung
F Rauschmaß
Fc Misch-Rauschmaß
gfs Übertragungssteilheit (= g21s) (FET)
h11e Kurzschlußeingangswiderstand (Emitterschaltung)
IB Basisstrom
IBM Basisspitzenstrom
IC Kollektorstrom
ICB0 Kollektor-Basis-Reststrom (IE = 0)
ICE0 Kollektor-Emitter-Reststrom (IB = 0)
ICER Kollektor-Emitter-Reststrom (mit RBE)
ICES Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE = 0)
ICEV Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE < 0)
ICEX Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE > 0)
ICM Kollektorspitzenstrom
ID Drainstrom
IDG0 Drain-Gate-Reststrom
IDoff Drain-Reststrom
IDSS Drain-Source-Kurzschlußstrom (UGS = 0)
IE Emitterstrom
IEB0 Emitter-Basis-Reststrom (IC = 0)
IG Gatestrom
IGSS Gate-Source-Sperrstrom
IS Sourcestrom
PQ HF-Ausgangsleistung
Ptot Gesamtverlustleistung
rds(off) Dynamischer Sperrwiderstand (FET)
rds(on) Dynamischer Durchlaßwiderstand (FET)
rgs Statischer Eingangswiderstand (FET)
RthG Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse
RthK Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung bei Montage
auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
RthU Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
td Verzögerungszeit
tf Abfallzeit
toff Ausschaltzeit
ton Einschaltzeit
tr Anstiegszeit
ts Speicherzeit
TCh Kanaltemperatur
TG Gehäusetemperatur
Tj Sperrschichttemperatur
TK Umgebungstemperatur bei Montage auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
TU Umgebungstemperatur
Uagc Regelspannung
UBE Basis-Emitter-Spannung
UBEsat Basis-Emitter-Sättigungsspannung
UCB Kollektor-Basis-Spannung
UCB0 Kollektor-Basis-Sperrspannung (IE = 0)
UCBS Kollektor-Basis-Sperrspannnung (UBE = 0)
UCE Kollektor-Emitter-Spannung
UCE0 Kollektor-Emitter-Sperrspannung (IB = 0)
UCER Kollektor-Emitter-Sperrspannung (mit RBE)
UCES Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE = 0)
UCEsat Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
UCEV Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE < 0)
UDB Drain-Substrat-Spannung
UDG Drain-Gate-Spannung
UDS Drain-Source-Spannung
UEB Emitter-Basis-Spannung
UEB0 Emitter-Basis-Sperrspannung (IC = 0)
UGB Gate-Substrat-Spannung
UGS Gate-Source-Spannung
UP Abschnürspannung
Ur Äquivalente Rauschspannung (μV/√Hz)
USB Source-Substrat-Spannung
Uth Gate-Source-Schwellenspannung (V-MOS-FET)
Vp Leistungsverstärkung
Vp(opt) Optimale Leistungsverstärkung
lyfsI Vorwärtssteilheit (FET) (=ly21sl)
lyosI Ausgangsleitwert (FET) (=ly22sl)
ß(hfe) Kurzschluß-Stromverstärkung bei 1kHz
Δ Differenz
ΔB Verhältnis der Gleichstromverstärkungen (B1/B2)
ΔUBE Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (UBE1 – UBE2)
ΔVp Regelbereich der Leistungsverstärkung
η Wirkungsgrad

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