Technische Symbole und Definitionen

Transistoren und FET

B(hFE) Gleichstromverstärkung
Cb’e Emitter-Diffusionskapazität
CCB0 Ausgangskapazität
CEB0 Eingangskapazität
Cis Eingangskapazität (FET)
Cos Ausgangskapazität (FET)
Crb Rückwirkungskapazität (Basisschaltung)
Cre Rückwirkungskapazität (Emitterschaltung)
Crs Rückwirkungskapazität (FET Sourceschaltung)
EAS Single Pulse Avalanche Energy 1)
EAR Repetitive Avalanche Energy 2)
f Meßfrequenz
fmax Höchste Schwingfrequenz
fT Transit-Frequenz
fy21s Grenzfrequenz der Vorwärtssteilheit (FET)
fα Grenzfrequenz in Basisschaltung
fß Grenzfrequenz in Emitterschaltung
F Rauschmaß
Fc Misch-Rauschmaß
gfs Übertragungssteilheit (= g21s) (FET)
h11e Kurzschlußeingangswiderstand (Emitterschaltung)
IB Basisstrom
IBM Basisspitzenstrom
IC Kollektorstrom
ICB0 Kollektor-Basis-Reststrom (IE = 0)
ICE0 Kollektor-Emitter-Reststrom (IB = 0)
ICER Kollektor-Emitter-Reststrom (mit RBE)
ICES Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE = 0)
ICEV Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE < 0)
ICEX Kollektor-Emitter-Reststrom (UBE > 0)
ICM Kollektorspitzenstrom
ID Drainstrom
IDG0 Drain-Gate-Reststrom
IDoff Drain-Reststrom
IDSS Drain-Source-Kurzschlußstrom (UGS = 0)
IE Emitterstrom
IEB0 Emitter-Basis-Reststrom (IC = 0)
IG Gatestrom
IGSS Gate-Source-Sperrstrom
IS Sourcestrom
PQ HF-Ausgangsleistung
Ptot Gesamtverlustleistung
rds(off) Dynamischer Sperrwiderstand (FET)
rds(on) Dynamischer Durchlaßwiderstand (FET)
rgs Statischer Eingangswiderstand (FET)
RthG Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse
RthK Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung bei Montage
auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
RthU Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
td Verzögerungszeit
tf Abfallzeit
toff Ausschaltzeit
ton Einschaltzeit
tr Anstiegszeit
ts Speicherzeit
TCh Kanaltemperatur
TG Gehäusetemperatur
Tj Sperrschichttemperatur
TK Umgebungstemperatur bei Montage auf Printboard, bzw. Substrat (SMD-Typen) oder Kühlkörper
TU Umgebungstemperatur
Uagc Regelspannung
UBE Basis-Emitter-Spannung
UBEsat Basis-Emitter-Sättigungsspannung
UCB Kollektor-Basis-Spannung
UCB0 Kollektor-Basis-Sperrspannung (IE = 0)
UCBS Kollektor-Basis-Sperrspannnung (UBE = 0)
UCE Kollektor-Emitter-Spannung
UCE0 Kollektor-Emitter-Sperrspannung (IB = 0)
UCER Kollektor-Emitter-Sperrspannung (mit RBE)
UCES Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE = 0)
UCEsat Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
UCEV Kollektor-Emitter-Sperrspannung (UBE < 0)
UDB Drain-Substrat-Spannung
UDG Drain-Gate-Spannung
UDS Drain-Source-Spannung
UEB Emitter-Basis-Spannung
UEB0 Emitter-Basis-Sperrspannung (IC = 0)
UGB Gate-Substrat-Spannung
UGS Gate-Source-Spannung
UP Abschnürspannung
Ur Äquivalente Rauschspannung (μV/√Hz)
USB Source-Substrat-Spannung
Uth Gate-Source-Schwellenspannung (V-MOS-FET)
Vp Leistungsverstärkung
Vp(opt) Optimale Leistungsverstärkung
lyfsI Vorwärtssteilheit (FET) (=ly21sl)
lyosI Ausgangsleitwert (FET) (=ly22sl)
ß(hfe) Kurzschluß-Stromverstärkung bei 1kHz
Δ Differenz
ΔB Verhältnis der Gleichstromverstärkungen (B1/B2)
ΔUBE Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (UBE1 – UBE2)
ΔVp Regelbereich der Leistungsverstärkung
η Wirkungsgrad

Dioden und Thyristoren

Grenzdaten
UR Sperrspannung — Höchstzulässige Gleichsperrspannung.
URM Spitzensperrspannung — Höchstzulässiger Scheitelwert der Sperrspannung.
Ueff RMS-Eingangsspannung (Anschlußspannung) — Effektivwert der maximalen Eingangswechselspannung.
IF Durchlaßstrom — Höchstzulässiger Durchlaßgleichstrom bei definierter Temperatur.
IAV Durchlaßstrom (= IO = Richtstrom bei Kleindioden) — Höchstzulässiger arithmetischer Mittelwert bei definierter Temperatur.
Ieff RMS-Durchlaßstrom — Effektivwert des höchstzulässigen Durchlaßstromes bei Ohmscher Last und definierter Temperatur.
IZ Arbeitsstrom im Durchbruchsbereich — Höchstzulässiger Gleichstrom bei Z-Dioden im Durchbruchsbereich (= Ptot/UZ) bei definierter Temperatur.
IFM Spitzendurchlaßstrom — Höchstzulässiger Scheitelwert des Durchlaßstromes bei definierter Temperatur.
IFRM Spitzendurchlaßstrom — Höchstzulässiger periodischer Spitzendurchlaßstrom bei definierter Temperatur.
IFSM Stoßstrom — Höchstzulässiger Überlastungsstromstoß, gültig für eine Halbschwingung (= 10ms, Tj = Tjmax), bei Kleindioden meist max.1μs.
Ptot Gesamtverlustleistung — Höchstzulässiger Wert für das Produkt aus IF x UF bei definierter Temperatur. Bei Kleindioden bezieht sich diese Angabe auf einen eingelöteten Zustand mit gekürzten Drähten. Bei Leistungstypen gilt eine Gehäusebezugstemperatur, die durch geeignete Kühlmaßnahmen erreicht wird. Bei Mehrfachdioden ist stets der Grenzwert für die Summe aller Einzeldioden angeführt.
PBR Impulsverlustleistung — Höchstzulässige Impulsverlustleistung im Duchbruchsbereich bei definierter Impulszeit.
Pin Eingangsleistung — Maximale HF-Eingangsleistung.
RthU Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung — bei umgebender, ruhender Luft.
RthG Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse — bei unendlich guter Wärmeableitung (TG = TU).
Tj Sperrschichttemperatur — Obere maximal zulässige Sperrschichttemperatur.
TU Umgebungstemperatur — Temperatur der umgebenden, ruhenden Luft.
Toper Betriebstemperatur — Oberer Betriebstemperaturbereich.

1) , 2) Power MOSFETS in avalanche Mode
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